电子器件用纳米氮化铝

UG-AlN50纳米氮化铝，采用直接氮化法工艺生产，产品在抗弯强度和热导率上明显高于同类产品。用在高分子树脂中，增黏不明显，是高导热绝缘填料。

UG-AlN50纳米氮化铝主要具有以下特性：

1.高纯度 （99-99.99%,可定制）、粒径分布范围小（30-100nm，可定制）

2. 具有良好的导热性，热膨胀系数小、且可耐1400度高温，可以大幅度提高塑料和硅橡胶的导热率，是良好的耐热冲击材料。

3. 抗熔融金属侵蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料

4. 具有优良的电绝缘性，介电性能良好，具有良好的注射成形性能；用于复合材料，与半导体硅匹配性好，界面相容性好，可提高复合材料的机械性能和导热介电性能等。

主要技术指标：

其他纯度、粒度规格可根据用户要求提供定制服务

应用领域：

1.用作大功率半导体器件的绝缘基片、大规模和超大规模集成电路的散热基片、锂电池内部的隔板材料、切削工具、封装材料、高温润滑剂、热散板及粘结剂等。 
    2.制造集成电路基板、电子器件、光学器件、散热器、高温坩锅；

3.制备金属基及高分子基复合材料，特别是在高温密封胶粘剂和电子封装材料中有极好的应用前景。 
    4.导热填料：如金属、陶瓷及石墨基复合材料，橡胶、塑胶、涂料、胶粘剂及其它高分子基复合材料。

 技术支持：

我司可提供UG-AlN50纳米氮化铝在高性能陶瓷、工程塑料、特种涂料等领域的应用技术支持，具体应用咨询请与销售工程师联系。

包装储存：

1.应密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜长久暴露于空气中，防受潮发生团聚，影响分散性能和使用效果。

2.本产品体密度较低，容易漂浮在空气中，取用时请勿造成较大的空气扰动，以免吸入体内。