behlke高压开关研究所型号
应用：激光和医疗设备 大学实验室研究所等
TS-B系列高压开关特点：
1、采用TrenchFET MOSFET技术的高压开关，
2、极低的导通电阻，能量损耗小
3、EMC耐受性，
4、即使在较高的开关频率下也具有较低的控制功率。
5、型号包含有关电压，电流和开启行为的编码信息。di一个数字代表以kV为单位的电压，短划线前的后一个数字表示开启行为，（0 =固定导通时间，1 =可变导通时间）。短划线后面的数字表示以安培x10为单位的电流。特殊功能在第二个破折号后由字母编码。示例HTS 40-06-B：HTS = HV晶体管开关，4 =4 kV，0=固定导通时间，06=60安培，B=沟槽FET
6、HFB
高频突发：通过外部缓冲电容提高驱动器的突发能力。如果产生超过10个间距小于10μs的脉冲，建议使用。
HFS高频开关：外部提供辅助驱动电压（根据型号为50-350 VDC）。必须超过规定的“大工作频率”。
低通：控制输入端的低通滤波器。传播延迟时间将增加~50 ns。抖动+ 500 ps。在高速应用中提高了抗噪性和不太关键的布线。
DT延迟触发：“总开启时间”不可逆转地增加到>1μs。
软启动：开启上升时间增加约20％。如果不需要尽可能短的边缘陡度，则简化的EMC设计和不太重要的布线。
https://www.chem17.com/st371038/erlist_1602688.html
http://www.bjhdsjx.cn/Products-36857511.html